ចានពាក់សេរ៉ាមិចសម្រាប់ការប៉ះទង្គិចខ្លាំង

Silicon Carbide (SiC)

Silicon carbide ត្រូវបានបង្កើតឡើងតាមពីរវិធីគឺ ការភ្ជាប់ប្រតិកម្ម និងការដុត។វិធីសាស្រ្តបង្កើតនីមួយៗមានឥទ្ធិពលយ៉ាងខ្លាំងទៅលើ microstructure ចុង។

ប្រតិកម្មផ្សារភ្ជាប់ SiC ត្រូវបានធ្វើឡើងដោយការជ្រៀតចូលនៃសារធាតុបង្រួមដែលធ្វើពីល្បាយនៃ SiC និងកាបូនជាមួយស៊ីលីកុនរាវ។ស៊ីលីកុនមានប្រតិកម្មជាមួយនឹងកាបូនដែលបង្កើត SiC បន្ថែមទៀតដែលភ្ជាប់ភាគល្អិត SiC ដំបូង។

Sintered SiC ត្រូវបានផលិតចេញពីម្សៅ SiC សុទ្ធ ជាមួយនឹងជំនួយ sintering មិនមែនអុកស៊ីត។ដំណើរការបង្កើតសេរ៉ាមិចធម្មតាត្រូវបានប្រើប្រាស់ ហើយសម្ភារៈត្រូវបានដុតក្នុងបរិយាកាសអសកម្មនៅសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2000ºC ឬខ្ពស់ជាងនេះ។

ទម្រង់ទាំងពីរនៃ silicon carbide (SiC) មានភាពធន់នឹងការពាក់ខ្ពស់ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិចល្អ រួមទាំងកម្លាំងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងធន់នឹងការឆក់កម្ដៅ។វិស្វកររបស់យើងតែងតែមានដើម្បីណែនាំអ្នកអំពីចំណុចខ្លាំង និងចំណុចខ្សោយនៃសេរ៉ាមិចនីមួយៗសម្រាប់តម្រូវការជាក់លាក់របស់អ្នក។

លក្ខណៈទូទៅនៃស៊ីលីកុនកាបូនរួមមាន:

• ដង់ស៊ីតេ​ទាប

•កម្លាំងខ្ពស់។

• កម្លាំងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ល្អ (មានប្រតិកម្មស្អិតជាប់)

• ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម (មានប្រតិកម្មស្អិតជាប់)

• ធន់នឹងការឆក់កំដៅបានយ៉ាងល្អ

• ភាពរឹងខ្ពស់ និងធន់នឹងការពាក់

• ធន់នឹងសារធាតុគីមីយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះ

• ការពង្រីកកំដៅទាប និងចរន្តកំដៅខ្ពស់។

កម្មវិធីស៊ីលីកុនកាបូនធម្មតារួមមានៈ

• ជួសជុល និងផ្លាស់ទីសមាសធាតុទួរប៊ីន

• ផ្សាភ្ជាប់, bearings, ស្នប់ vanes

• ផ្នែកសន្ទះបាល់

• ពាក់ចាន

• គ្រឿងសង្ហារឹមក្នុងឡ

• ឧបករណ៍ផ្លាស់ប្តូរកំដៅ

• ឧបករណ៍កែច្នៃ wafer semiconductor

សម្រាប់ព័ត៌មានបន្ថែមអំពីស៊ីលីកុនកាបូនរបស់យើង និងរបៀបដែលវាអាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ផលិតផលរបស់អ្នក សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំនៅថ្ងៃនេះ